- .

(Seoul=NSPагентство новостей) INNA CHECHELNYT Journalist = Samsung Electronics обеспечила лидерство в области полупроводниковых технологий следующего поколения за счет разработки технологии DRAM высокой емкости и высокой пропускной способности, которая может значительно улучшить производительность центров обработки данных, таких как искусственный интеллект (AI), машинное обучение (machine learning) и большие данные (Big Data).

Samsung Electronics проверила память DRAM на основе CXL, разработанную на этот раз на платформе Intel, и обеспечила защиту базовой технологии для решения DRAM большой емкости, необходимого для центров обработки данных следующего поколения.

Компания Samsung Electronics применила форм-фактор EDSFF (Enterprise & Data Center SSD Form Factor), применяемый к твердотельным накопителям большой емкости, для CXL DRAM. CXL DRAM может сосуществовать с основной DRAM существующей системы и увеличивать объем памяти системы до терабайта.

Разработанный в этот раз контроллер CXL DRAM сводит к минимуму системные ошибки с помощью технологий отображения памяти (Memory Mapping) и преобразования интерфейсов (Interface Converting), так что вычислительная система может использовать вместе DDR DRAM основной памяти и CXL DRAM с различными интерфейсами, а также контроллер поддерживает управление ошибками (Error Management), которое может повысить надежность данных.

Samsung Electronics планирует своевременно коммерциализировать память на основе CXL, чтобы выйти на рынок вычислительной техники следующего поколения, который требует памяти большой емкости.

NSPагентство новостей INNA CHECHELNYT Journalist inna4ka@nspna.com
Copyrightⓒэкономические новости агентства Кореи NSP NSP НОВОСТИ·ТВ. Все права защищены - перераспределение запрещено.