(서울=NSP통신 이수정 기자) = 테스(095610)는 반도체 소자의 갭필 방법에 대한 특허권을 취득했다고 밝혔다.

회사 측은 14일 공시를 통해"공정원료 가스에 산소를 포함시키는 경우나 오버행 현상에 의해 갭 패턴에 보이드(void)가 생성되는 것을 감소시킬 수 있다"며"이를 적용해 제품경쟁력을 강화시킬 것"이라고 설명했다.

endorphin@nspna.com, 이수정 기자(NSP통신)
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