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(서울=NSP통신) 이복현 기자 = SK하이닉스가 회사 성장과 기술혁신에 기여한 특허를 발명한 구성원에게 포상을 실시하는 ‘혁신특허포상’ 시상식을 지난 7일 개최했다.

올해로 5회째를 맞은 혁신특허포상 시상식은 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 수상자들의 소속 조직이 있는 현장으로 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, DRAM 내부의 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 DRAM개발 신범주 TL과 DRAM 내부의 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 미래기술연구원 황선환 TL, 장세억 SKHU(SK Hynix University, 사내대학) 교수가 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 NAND, Solution, Package 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 이를 발명한 구성원 19명에게 상패와 총 상금 2억1500만 원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 실시해 회사의 매출과 기술혁신에 크게 기여한 특허를 선정, 이를 발명한 구성원을 포상하고 있다.

SK하이닉스는 이 제도를 기반으로 글로벌 일류 기술기업으로 나아가기 위한 강한 특허를 지속적으로 발굴해 나간다는 계획이다.

NSP통신 이복현 기자 bhlee2016@nspna.com
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