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[서울=NSP통신] 김정태 기자 = 삼성전자가 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) LPDDR2(Low Power Double Data Rate2) 4기가비트(Gb) 모바일 D램을 본격 양산한다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 올해 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어, 지난달부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산, 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했다.

삼성전자에 따르면, 20나노급 4Gb D램 제품군은 세계 최고의 ‘초박형’, ‘대용량’, ‘고성능’ 모바일 솔루션을 확보함은 물론 최소 칩 사이즈로 울트라슬림 디자인을 가능하게 한다.

삼성전자는 이번 최소 칩사이즈인 20나노급 4Gb LPDDR2 양산으로 업계 유일하게 차세대 울트라 슬림 모바일기기에 적합한 초박형 0.8mm 2GB LPDDR2를 공급한 것은 30나노급 모바일 D램에 이어 20나노급 모바일 D램에서 더욱 확고한 경쟁 우위를 확보하게 됐다.

20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄었으며, 최대 1066Mbps 동작 속도 및 동일한 소비 전력을 구현해 4Gb 시장을 더욱 빠르게 성장시킬 것으로 전망된다.

홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “지난해에 업계 최초로 30나노급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했고 올해는 20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다”며 “올 하반기에는 20나노급 D램 비중을 지속 늘리면서 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡도록 해 프리미엄 시장을 선점하고 경쟁력 우위를 더욱 강화해 나갈 것이다”라고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 지난해 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있다.

김정태 NSP통신 기자, ihunter@nspna.com
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