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[서울=DIP통신] 김정태 기자 = 삼성전자는 초고속 낸드플래시 규격인 토글(Toggle) DDR(Double Data Rate) 2.0을 적용한 20나노급 64Gb(Giga bit) MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시 제품을 양산한다.

이번에 양산되는 낸드플래시 제품은 데이터 처리 속도가 400Mbps(Mega bit per second)로
기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시(40Mbps) 대비 10배, 토글 DDR 1.0 방식의 낸드플래시 제품(133Mbps) 대비 3배 빠르다.

특히 64Gb 토글 DDR 2.0 MLC 낸드플래시는 기존 제품에 비해 속도가 두 배 이상 빨라지는 USB 3.0, SATA 6Gbps 등의 차세대 인터페이스를 적용한 고성능·대용량 제품에 가장 적합한 낸드플래시 솔루션이다.

삼성전자에 따르면, 지난해 토글 DDR 1.0 방식의 20나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량 2배, 속도 3배, 생산성이 50% 향상된 차세대 낸드플래시를 양산, 낸드플래시 시장을 지속적으로 주도할 수 있게 됐다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 홍완훈 부사장은 “삼성전자는 이번 고속 낸드플래시 양산을 통해, 4세대 스마트폰, 태블릿PC, 6.0Gbps SSD 등 비약적으로 성장하는 신제품 시장을 이끌 계획이다”며 “앞으로도 초고속·대용량 차세대 Toggle DDR 낸드플래시 솔루션을 원활히 공급해 소비자들이 더욱 향상된 모바일 제품을 활용할 수 있도록 하겠다”고 말했다.

하반기부터 스마트폰, SSD, 메모리 카드 등을 생산하는 업체들이 64Gb 고속 낸드플래시를 기반으로고성능·대용량의 제품을 다양하게 출시할 것으로 예상된다.

ihunter@dipts.com
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