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(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = サムスン電子が業界初の12ナノ級32Gb（ギガビット）DDR5 Dラムを開発した。32GbはDラム単一チップ基準で歴代最大容量だ。

今回の32Gb製品は同一パッケージサイズで、アーキテクチャ改善を通じて16Gb Dラムに対比2倍容量を具現し128GbモジュールをTSV工程なしに製作可能になった。

また、同一128Gbモジュール基準、16Gb Dラムを搭載したモジュールに対比約10%消費電力改善が可能であり、データセンターなど電力効率を重要視するIT企業に最適なソリューションになるものと期待される。

サムスン電子は今回の12ナノ級32Gb DDR5 Dラム開発を通じて、大容量Dラムラインナップを持続的に拡大していく計画だ。また、AI時代を主導する大容量、高性能、低電力製品でグローバルIT企業と協力し、次世代Dラム市場を牽引していく予定だ。

サムスン電子は「今回の12ナノ級32Gb Dラムで今後1TBモジュールまで具現できるソリューションを確保することになった」として「サムスン電子は今後も差別化された工程と設計技術力でメモリー技術の限界を克服していく」と明らかにした。

サムスン電子は12ナノ級32Gb DDR5 Dラムを年内に量産する計画だ。

By Min-jung Kim(alswjd5176@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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