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(서울=NSP통신) sora kim Journalist = サムスン電子が世界最速のスマートフォン内蔵メモリー512GB eUFS 3.1を本格的に量産する。

512GB eUFS 3.1は512GB eUFS 3.0より約3倍速く連続書き速度（1200MB/s）でFHD(5GB 基準)映画1本を約4秒で保存できる。

この製品の連続書き速度は2100MB/s。任意読みと任意書き速度はそれぞれ10万IOPS、7万IOPSで既存のeUFS 3.0より性能が向上された。

スマホに512GB eUFS 3.1メモリーを搭載すると8K超高画質映像や数百枚の高容量写真も早く保存でき消費者がウルトラスリムノートパソコンの便宜性を体感できる。

また100GBのデータを新しいスマホに移す際、eUFS 3.0メモリー総裁スマホは4分以上時間がかかったがeUFS 3.1搭載スマホは約1分30秒で十分だ。

サムスン電子は512GB、256GB、128GBの3つの容量で構成されたeUFS 3.1製品ライナップで今年フラグシップスマホメモリー市場を先占する計画だ。

NSP通信 sora kim Journalist aoiakisora@nspna.com
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